Banca de DEFESA: LUIZ HENRIQUE DE CARVALHO FILHO

Uma banca de DEFESA de MESTRADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: LUIZ HENRIQUE DE CARVALHO FILHO
DATA: 23/08/2021
HORA: 14:00
LOCAL: https://meet.google.com/nbw-uiys-wbd
TÍTULO: ESTUDO E FABRICAÇÃO DE TERMISTORES DE ZnO DOPADOS COM Cu POR REAÇÃO DE COMBUSTÃO COM OTIMIZAÇÃO DE ELETRODOS
PALAVRAS-CHAVES: Termistores, oxido de zinco, cobre, dopagem, reação de combustão, eletrodos, tinta condutora à base de prata, solda de estanho/chumbo.
PÁGINAS: 78
GRANDE ÁREA: Engenharias
ÁREA: Engenharia de Materiais e Metalúrgica
SUBÁREA: Materiais Não-Metálicos
ESPECIALIDADE: Cerâmicos
RESUMO: O ZnO é um material que possui característica de um semicondutor, é utilizado de maneira versátil, bastante estudado pela comunidade científica devido a sua vasta aplicação tecnológica, é um material de fácil fabricação e tem aceitação de alguns elementos químicos como dopante em sua estrutura atômica, um desses elementos é o Cu. Quando o Cu substitui o Zn, na estrutura wurtzita do ZnO, com o intuito da formação de um termistor podemos ter uma maior estabilidade elétrica ao aumento da temperatura. Este trabalho consiste na formação de um semicondutor a base de ZnO, pelo método de reação de combustão, um método simples, barato e bastante eficaz na produção de pó, nesse método as composições sofrem algumas reações isotérmicas como a perca de água e a eliminação dos óxidos, assim como na eliminação do catalizador usado para acelera à formação do pó. A estrutura wurtzita do ZnO será dopada com o Cu, por possuir algumas características para a formação de semicondutores extrínseco, essas características são: o raio iônico do Cu parecido com o do Zn, possuem quase a mesma quantidade de elétrons em sua camada de valência, não reagem quimicamente entre si, se tornando um forte candidato a dopante. Na formação das pastilhas, podemos observar que o ZnO e com seu dopante formaram um termistor do tipo Negative Temperature Coefficient (NTC) e não apresentou uma segunda fase. O dopante Cu, aumentou a resistência termoelétrica inicial, a partir de 1% do dopante, já o tamanho do gap se manteve praticamente o mesmo com a dopagem. O Cu ao entrar na estrutura do ZnO, ele muda algumas características do elemento devido a uma barreira no fluxo dos elétrons, conhecido como barreira Schottky. Também foi analisado dois tipos de eletrodos para a fixação dos terminais na pastilha foram eles a tinta condutora a base de prata e a solda de estanho/chumbo, os dois se mostraram um baixo contato ôhmico, além de bons condutores de corrente elétrica, quando fixado os terminais nas pastilhas
MEMBROS DA BANCA:
Presidente - 2890742 - RAMON ALVES TORQUATO
Interno - 2043334 - DANIEL ARAUJO DE MACEDO
Externo ao Programa - 1718473 - FABRICIO BRAGA SOARES DE CARVALHO
Externo à Instituição - VERÔNICA CRISTHINA, DE SOUZA DINIZ