Banca de DEFESA: JULIANA APARECIDA GONÇALVES

Uma banca de DEFESA de DOUTORADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: JULIANA APARECIDA GONÇALVES
DATA: 28/09/2020
HORA: 10:00
LOCAL: REMOTAMENTE (DEVIDO À PANDEMIA)
TÍTULO: Estudo de Nanofitas de h-BN e Nanofolhas de SiC por Primeiros Princípios
PALAVRAS-CHAVES: Nitreto de Boro hexagonal (h-BN) Carbeto Silício (SiC) Nanoes- trutras Nanofolhas DFT Óptica
PÁGINAS: 103
GRANDE ÁREA: Ciências Exatas e da Terra
ÁREA: Física
RESUMO: Materiais bidimensionais (2D) têm sido o foco de diversas pesquisas no últimos anos. Dentre esses materiais, podemos destacar os materiais “graphene-like”, como o Nitreto de Boro hexagonal (h-BN) e Carbeto Silício (SiC). Apesar desses materiais serem estruturalmente semelhante ao grafeno, suas propriedades eletrônicas, ópticas e magnéticas são diferentes, o que podem levar a distintas aplicações tecnológicas como diodos de alta temperatura, células solares e sensores. Sendo assim, é de suma importância uma análise detalhadas das propriedades dessas nanoestruturas. Neste trabalho, empregamos cálculos de Primeiros Princípios baseados na Teoria do Funcional da Densidade (DFT), para o estudo da estabilidade e propriedades ópticas e eletrônicas de nanofitas de três camadas de h-BN com reconstrução de bordas, e a análise da fluoração de nanofolhas de SiC. No primeiro, linhas de anéis pentagonais e heptagonais conectam o sistema comporto de três camadas de h-BN nas bordas. Esses anéis possuem ligações homopolares B-B e N-N, que determinam a estabilidade do sistema. As nanofitas que apresentam menos ligações homopolares são as mais estáveis em relação a uma camada de h-BN. Este resultado sugere que este tipo de reconstrução pode ocorrer em sistemas compostos por três camadas de h-BN e são mais estáveis que o sistema análogo de carbono. As análises eletrônicas revelam que a presença da ligações homopolares introduzem estados localizados no gap das nanofitas semicondutoras. As ligações homopolares também apresentam uma grande influência nas propriedades ópticas, principalmente quando a luz é incidida na direção dos defeitos. Em um segundo momento, investigamos a influência do flúor na propriedades ópticas e eletrônicas de nanofolhas de SiC. Observamos que a adsorção de átomos de F nas nanofolhas de SiC é mais favorável em sítios de Si. A tensão causada pelas quatro ligações do átomos de Si na folha de SiC determina a posição relativa dos átomos F adsorvidos: ocupando sítios de Si vizinhos mais próximos, para o caso em que o F está em lados opostos da folha ou afastados um do outro se eles estão no mesmo lado da folha. As propriedades ópticas e eletrônicas não possuem uma dependência com relação ao lado da adsorção dos átomos de F, mas a distância relativa possui uma grande influência. No caso em que os átomos de F são adsorvidos em sítios de Si próximos, o sistema apresenta um carácter de semicondutor do tipo-p. Por outro lado, quando os átomos de F ocupam sítios de Si distantes, as folhas de SiC tornam-se metálicas. Além disso, a adsorção de átomos de F afetam as propriedades ópticas das nanofolhas de SiC induzindo uma anisotropia óptica no sistema.
MEMBROS DA BANCA:
Interno - 1282121 - ALEXANDRE DA SILVA ROSAS
Interno - 2744149 - BERTULIO DE LIMA BERNARDO
Externo à Instituição - JULIANA MARIA ABREU DA SILVA MORBEC
Presidente - 1199631 - SERGIO ANDRE FONTES AZEVEDO
Externo à Instituição - SUZANA NOBREGA DE MEDEIROS