Banca de DEFESA: JEFFERSON LIRA NASCIMENTO

Uma banca de DEFESA de MESTRADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: JEFFERSON LIRA NASCIMENTO
DATA: 09/02/2026
HORA: 14:00
LOCAL: Sala do PPCEM - Bloco Multimídia do CT/UFPB
TÍTULO: AVALIAÇÃO DAS CARACTERÍSTICAS TERMOELÉTRICAS E TERMORRESISTIVAS DA MATRIZ SEMICONDUTORA DO ÓXIDO DE ZINCO DOPADO COM MANGANÊS EM DIFERENTES CONCENTRAÇÕES
PALAVRAS-CHAVES: Termoeletricidade, coeficiente de Seebeck, termorresistividade, termistor, ZnO, Mn, reação de combustão.
PÁGINAS: 67
GRANDE ÁREA: Engenharias
ÁREA: Engenharia de Materiais e Metalúrgica
SUBÁREA: Materiais Não-Metálicos
ESPECIALIDADE: Cerâmicos
RESUMO: No contexto atual, o desenvolvimento científico e tecnológico é fundamental para a necessidade de uma sociedade moderna, como a capacidade de informação, velocidade de dados, autonomia energética, miniaturização de componentes e equipamentos, menor custo de produção e sistema mais eficientes. Nesta visão e realidade, o mundo dos materiais semicondutores exerce um papel fundamental, podemos dizer até essencial. Portanto, o estudo destes materiais sempre terá um apelo científico e tecnológico que chama atenção daqueles que desenvolvem pesquisas. Quando tratamos de sistemas de sensoriamento e produção de energia elétrica é algo que desperta o interesse no que será gerado de resultados. Diante disso, utilizamos neste trabalho a matriz semicondutora de óxido de zinco (ZnO), que possui um gap largo de ≈ 3,37 eV, para que através do processo de dopagem avaliemos o efeito na resposta termorresistiva e termoelétrica desta matriz dopada com o metal de transição manganês (Mn), nas concentrações de x = 0,1; 0,2; 0,3; 0,4 e 0,5 mol de Mn+2, no processo de substituição do Zn+2, no sistema Zn1-xMnxO, utilizando a rota de síntese de reação de combustão para produção dos sistemas. Os sistemas produzidos foram calcinados, beneficiados, prensados e sinterizados em uma temperatura de 1100 ºC com taxa 10 C°/min. Após o preparo, foi analisada sua microestrutura através da Difração de raios X (DRX), Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV) com EDS, análise de largura de gap utilizando a Espectroscopia de Ultravioleta (UV-Vis), respostas termorresistiva e termoelétrica. Os resultados mostraram que houve a formação de uma segunda fase e que sua morfologia é de um material razoavelmente denso com tamanho de grão médio aumentando com o aumento da concentração de Mn+2. Considerando 3,37 eV de valor teórico para o ZnO puro, a largura de gap foi afetada com a adição do dopante, sendo o maior valor obtido de 2,91 eV para x = 0,3 mol de Mn+2 e o menor valor encontrado de 2,72 eV para x = 0,5 mol, mas preservando a característica semicondutora mesmo com a dopagem. Nos resultados termorresistivos, houve a produção de um termistor com coeficiente térmico negativo (NTC) onde o β mínimo encontrado foi em x = 0,1 mol de Mn+2 com 4334K para o ensaio de 75°C a 100°C e o melhor para x = 0,2 mol Mn+2 resultando em 6396K no teste de 50°C – 100°C. Portanto os resultados obtidos se mostraram satisfatório para este estudo inicial onde conseguimos produzir termistores NTC com qualidade, reforçado pelo gráfico do ln(ρ) x 1000/T(K), que demonstrou ainda faixas de temperaturas específicas dentro das analisadas, nas quais o β ultrapassou valores comerciais. Nos resultados termoelétricos, obtivemos valores entre 835,53µV/°C e -57,62µV/°C e -72,02µV/°C a -1,02µV/°C do ZnO puro a dopagem de 0,5 mol de Mn em temperaturas de 50°C e 100°C, respectivamente.
MEMBROS DA BANCA:
Presidente(a) - 2890742 - RAMON ALVES TORQUATO
Interno(a) - 1856683 - DANNIEL FERREIRA DE OLIVEIRA
Externo(a) à Instituição - JUSSIÊ UBALDO DA SILVA